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選擇高純水標準的好處

點擊次數(shù)：1561 更新時間：2015-03-19

選擇高純水標準的好處： 1 主題內(nèi)容與通用范圍      本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術(shù)要求、測試方法和規(guī)則。      本標準適用于去離子處理后的高純水。 2 引用標準      GB11446電子級水及其檢測方法  3術(shù)語  3．1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity       在規(guī)定溫度下，1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數(shù)。電導率通常以μS/cm為單位。      水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。  3．2電阻率 resistivity       電導率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。  3．3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance       除氣體以外，以非液態(tài)形式分散在水中，并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。  3．4總有機碳(TOC)total organic carbon       水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊化的有機物。  3．5總固體 total solid       水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。  3. 6全硅 total silicon       水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。  3．7高純水high-pure water, ultrapure water 電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規(guī)定限制的很純凈水  3．8原水raw watcr   純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。  3．9終端 terminal。   高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道沖化工藝后，水的出口使用地點?？煞謩e稱為制水終端和用水 3．10微量micro-amount   試樣量在1mg左右。  3．11 痕量 trace amount   試樣量在1μg左右。  3．12百萬分之一(ppm) part per million  重量比的量，相當于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中，一殷也認為相當 每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(shù)(mg／L)。 3．13十億分之一(ppb)part per billion 重量比的單位，相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)，在水質(zhì)分折中，一般 認為相當于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(shù)(μg／L)。 4高純水的級別  4．1高純水可分為電子級高純水和普通高純水，分別用符號EH和pH標志。 4. 2電子級高純水 4．2．1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點： a．具有精細圖形結(jié)構(gòu)； b．對器件表面有特殊要求； c．工藝對水質(zhì)有特定的嚴格要求。 4．2．2電子級高純水分為兩個級別：特級和I級。它們的標志分別是： 特級電子級高純水：EH—T 一級電子級高純水：EH—1 4．3普通高純水 4．3．1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。 4．3．2普雙高純水分為三個級別：Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是： I級普通高純水：pH—Ⅰ x級普通高純水：PH—Ⅱ m級普通高純水：pH—Ⅲ 4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。 5技術(shù)要求 5．1電子級高純水 5．1．1電子級高純水應(yīng)考核四項內(nèi)容： a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)； b．水中懸浮微粒的數(shù)量和大小； C. 水中有機物總量； d. 水中細菌微生物狀況。 5. 1. 2電子級高純水的各項技術(shù)指標由表1給出。